[16a-W8E_308-1~4] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

11:45 〜 12:00

[16a-W8E_308-4] XRD極点図法を用いた InP 基板上 α-および γ-MnTe 薄膜の成長条件検討

〇宮澤 伶¹、小林 正和^1,2、Forrester Candice R³、Mohammadi Sina³、Barton Aran³、Moon Jisoo³、Tamargo Maria C³ (1.早大先進理工、2.早大材研、3.ニューヨーク市立大)

キーワード：

半導体

MnTe は優れた磁気特性を有する材料であり、特に α-MnTe は近年、オルターマグネティズムを示すことが報告され、新たなスピントロニクス素子への応用が期待されている。しかし、単一相の α-MnTe を成長させることは依然として困難である。本研究では、InP(111)基板上に成長条件（Mn:Te 比、成長温度、バッファ層）を変化させて MBE 法により成長した MnTe 薄膜に対し、XRD による θ–2θ 測定および極点測定を行い、成長条件が α 相の出現に与える影響を調査した。