講演情報
[16a-W9_326-2]1.3µm帯タイプII量子井戸構造のしきい値レスオージェ再結合係数
〇横内 則之1、ニャカシュ ペーテル2、肖 何1、吉田 琢真1、今村 明博1 (1.古河電工、2.FETI)
キーワード：
半導体レーザ、オージェ再結合、kp摂動法
8バンドk・p摂動法を用いて1.3µm帯タイプII量子井戸のオージェ再結合レートのシミュレーションをおこなった．CHCCしきい値レスオージェ再結合係数は，伝導帯バンド不連続Vcに対する価電子帯バンド不連続Vv比によって変化し，Vv/Vcが1.5近傍で最小となることを示した．