[16a-W9_327-1~6] 16.2 エナジーハーベスティング

9:15 〜 9:30

[16a-W9_327-2] 多段Si微小熱電デバイスへのニッケルシリサイドの導入

〇(B)高山 開智¹、三浦 拓也¹、粟田 舞衣¹、林 竜也¹、奥田 耕太朗¹、小塚 裕介^1,2、柏木 誠³、志村 考功¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.NIMS、3.ナノ・ライフ創新研究機構)

キーワード：

熱電発電、半導体、ゼーベック効果