[16p-M_101-1~18] 13.9 化合物太陽電池

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[16p-M_101-15] Ga-doped CdTe単結晶における自己補償欠陥抑制による高キャリア濃度の実現

〇都留 颯人¹、永岡 章¹、住吉 壱心²、野瀬 嘉太郎²、吉野 賢二¹ (1.宮崎大工、2.京大院工)

キーワード：

結晶成長、移動ヒーター法（THM）、CdTe

本研究では、THM法によりGaドープCdTe単結晶を作製し、電気的・光学的評価を行った。As-grown結晶では、Cd空孔に起因する複合欠陥による自己補償のため、キャリア濃度は10¹⁴ cm^-3程度で飽和した。これに対しCd雰囲気アニール処理を施した結果、補償欠陥の抑制とPL特性の改善が確認され、10¹⁶ cm^-3台の高キャリア濃度化に成功した。