講演情報
[16p-M_101-4]GaSb系希薄窒化物混晶を用いた熱輻射発電デバイス用テスト素子の作製
〇川原 啓翔1、中村 徹哉2、久野 倭1、川崎 天聖1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大工、2.宇宙機構)
キーワード：
熱輻射発電、分子線エピタキシー法
宇宙空間での利用が期待される熱輻射発電は，pn接合の輻射再結合による起電力を利用する．本研究では，狭バンドギャップ化が可能なGaSbNを活性層としたデバイスをMBE法で作製した．昨年度の微小な発電電力（15 pW）という課題に対し，本報ではメサ構造の形成と電極の最適化を行った．暗状態のI-V測定では，理想因子2.50の良好な整流特性を確認した．発表では熱非平衡状態での発電特性の詳細を報告する．