[16p-M_107-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

16:45 〜 17:00

[16p-M_107-9] MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上InPナノワイヤ成長と評価

〇東 佑樹¹、谷山 慶太¹、内田 凌聖¹、Wei Wen Wong²、本久 順一¹、Hark Hoe Tan²、冨岡 克広¹ (1.量子集積センター、2.オーストラリア国立大学)

キーワード：

MOVPE選択成長、WZ InP、Si基板