2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[16p-M_107-1~10]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2026年3月16日(月) 14:00 〜 17:15
M_107 (本館)
14:00 〜 14:45英語発表

[16p-M_107-1][13. Semiconductors Invited Talk] Photonic Crystal Surface Emitting Lasers
– A Perspective of Nano-Photonics Research & Commercialization from the United Kingdom

〇Richard Hogg1 (1.Aston University)
14:45 〜 15:00

[16p-M_107-2]GaAs/AlGaAs(001)量子井戸におけるスピン緩和の励起強度依存性

〇東條 陽真1、吉田 俊輔1、揖場 聡2、大野 裕三1,2 (1.筑波大院数理、2.産総研)
15:00 〜 15:15

[16p-M_107-3]GaAs/AlGaAs(110)超格子における電子スピン緩和のシミュレーション

〇大野 裕三1,2、揖場 聡2 (1.筑波大院数理、2.産総研)
15:15 〜 15:30

[16p-M_107-4]Co系ホイスラー合金を用いたGaAs(011)への電気的スピン注入

〇桶屋 孝成1、大日方 初良1,2、宇佐見 喬政2,3、冨岡 克広4、浜屋 宏平1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.北大RCIQE)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[16p-M_107-5]p+型ポーラスシリコンの形成限界にける印加電流密度依存性

〇(M2)中橋 大輔1、原田 裕生1、金 蓮花1、ジェローズ ベルナール2 (1.山梨大学、2.名古屋大)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[16p-M_107-6]電荷敏感型赤外フォトトランジスタにおける 電子とLOフォノンのコヒーレントな結合状態の電気的読み出し（Ⅰ）

〇(D)中井 創一1、兼子 翔伍1、福本 孟生1、安田 浩明2、関根 徳彦2、寳迫 巌2、小宮山 進2,3、生嶋 健司1 (1.農工大工、2.情報通信機構、3.東大院総合)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-M_107-7]電荷敏感型赤外フォトトランジスタにおける 電子とLOフォノンのコヒーレントな結合状態の電気的読み出し（Ⅱ）

〇福本 孟生1、中井 創一1、兼子 翔伍1、安田 浩朗2、関根 徳彦2、寳迫 巌2、小宮山 進2,3、生嶋 健司1 (1.農工大工、2.情報通信研究機構、3.東大院総合)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[16p-M_107-8]SiON/W/SiO2多層膜マスクSi(111)上の垂直III-V NW選択成長と縦型マルチトランジスタ応用

〇谷山 慶太1、渡辺 仁1、竹田 有輝1、東 佑樹1、冨岡 克広1 (1.北大院情報科学および量子集積センター)
16:45 〜 17:00

[16p-M_107-9]MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上InPナノワイヤ成長と評価

〇東 佑樹1、谷山 慶太1、内田 凌聖1、Wei Wen Wong2、本久 順一1、Hark Hoe Tan2、冨岡 克広1 (1.量子集積センター、2.オーストラリア国立大学)
17:00 〜 17:15

[16p-M_107-10]単一InAsコロイド量子ドットトランジスタにおける単一電子トンネル伝導

〇柴田 憲治1、滝口 智稀1、佐藤 明1、佐々木 悠人1、大塚 朋廣2 (1.東北工大、2.東北大WPI-AIMR)
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