講演情報
[16p-PA1-2]THM 法による In ドープ CdTe バルク結晶成長と電気的・光学的特性
〇都留 颯人1、永岡 章1、住吉 壱心2、野瀬 嘉太郎2、吉野 賢二1 (1.宮崎大工、2.京大院工)
キーワード：
結晶成長、移動ヒーター法（THM）、CdTe
本研究では、Cdとの格子整合性に優れるInに着目し、THM法によりInドープCdTeバルク単結晶を作製した。電気的・光学的評価の結果、Inドープ結晶はAs-grown状態でn型伝導（~1014 cm-3）を示し、Gaドープと比較して深い補償欠陥の形成が抑制される傾向が確認された。さらに、Cd雰囲気アニールによる欠陥低減効果とキャリア寿命の改善についても、再結合ダイナミクスの観点から報告する。