講演情報
[16p-PA7-24]p-Si上のMoS2表面層からの光支援熱電子放出におけるキャリアダイナミクス
〇(M1)松嶋 力哉1、荻野 明久1 (1.静大院工)
キーワード：
二硫化モリブデン(MoS2)、光支援熱電子放出、化学気相成長
光支援熱電子発電は、太陽光発電のショックレー・クワイサー限界を超え得る太陽エネルギー変換手法である。耐熱性に優れるSiは有望な光支援熱電子放出(PETE)エミッタ材料であるが、光吸収効率の低さが課題である。本研究では高い光吸収能を有するMoS2をSi表面に形成し、MoS2/p-Siおよびp-SiエミッタのPETE特性を比較することで、MoS2がPETE特性に及ぼす影響を明らかにした。