セッション詳細
[16p-PA7-1~40]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)
2026年3月16日(月) 16:30 〜 18:00
PA7 (アリーナ (1F))
[16p-PA7-1]AuパターニングMoO3供給基板を用いたMoS2の選択的CVD成長
〇河南 昌吾1、安藤 淳2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[16p-PA7-2]CVD法によるサファイア上へのMoS2/グラフェンヘテロ構造の直接成長
〇(M1)大原 佑希1、横平 華永1、小田 昂到、日比野 浩樹1 (1.関学大理工)
[16p-PA7-3]スペーサー導入によるCVD成長空間制御がMoS2結晶成長に及ぼす影響
〇(B)中村 空海1、河南 昌吾1、安藤 淳2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[16p-PA7-4]W前駆体を用いた基板/金界面へのWS2薄膜成長
〇(M1)武居 建汰1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[16p-PA7-5]ペースト状MoO3を用いたCVD合成におけるMoS₂成膜温度依存性
〇前田 直飛1、安藤 淳2、河南 昌吾1、中村 空海1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[16p-PA7-6]単分子膜を形成した MoO₃ 薄膜供給源が単層 MoS₂ の成長に及ぼす影響の検討
〇菊矢 楓1、山本 伸一1、河南 昌吾1、中村 空海1、安藤 敦2 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[16p-PA7-7]Au(111)上での単層MoS2のCVD成長とUVテープ転写
〇済 直樹1、山本 快知1、深町 悟1、Pablo Solis-Fernandez1、田村 将悟2、碇 智徳2、吾郷 浩樹1,3 (1.九大院総理工、2.宇部高専、3.九大半導体センター)
[16p-PA7-8]ミストCVDにより成膜した高誘電率絶縁膜上への遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜成長
川上 滉之朗1、〇(B)松岡 友希1、田村 天琉1、クドゥス アブドゥル2、上野 啓司3、リム ホンエン3、白井 肇4、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.埼玉大理、4.神奈川大)
[16p-PA7-9]Na2WO4/WOx膜を前駆体とした表面平坦WOxナノワイヤの準配向成長と単層WS2のテンプレート成長
〇伊東 良誠1、金崎 郁穂1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院環境生命自然)
[16p-PA7-10]CVD法による強誘電体基板上へのh-BNの直接成長
〇稲葉 巧人1、毛利 真一郎1、アブドゥル クドゥス2 (1.立命館大学院、2.立命館大R-GIRO)
[16p-PA7-11]In situ TEM Observation of Ductile-like Fracture in MoS2 nanosheet Under Strain
〇(PC)Wei Xiong1, Yoshifumi Oshima1 (1.JAIST)
[16p-PA7-12]MoTe2のCVD成長とその電気特性評価
〇石黒 康志1、井坂 勇一郎1、若山 裕2、立木 隆1 (1.防衛大、2.物材機構)
[16p-PA7-13]化学気相成長法によるβ相MoTe2ナノリボンの成長制御
〇(M2)山田 樹1、斎藤 慎太朗1、劉 崢2、中西 勇介3、宮田 耕充4、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工、2.産総研、3.東大院新領域、4.物材機構)
[16p-PA7-14]塗布原料とCS2処理によるMoS2の合成
〇篠原 みのり1、和泉 廣樹1、横倉 聖也1、島田 敏宏1 (1.北大工)
[16p-PA7-15]Bi2Se3薄膜作製手法の探索および構造・電子状態の評価
〇(B)守 利樹1、和泉 廣樹1、横倉 聖也1、島田 敏宏1 (1.北大工)
[16p-PA7-16]Sn-Sb液体合金表面から剥離した二次元SnOナノシートにおけるドーピング効果
〇藤井 俊治郎1、石原 和旺1、福室 直樹1、古郷 敦史2 (1.兵庫県立大工、2.産総研)
[16p-PA7-17]プラズマ処理・セレン化による MoSe2/Janus SMoSe の形成
〇山口 真由1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[16p-PA7-18]セレン化ガリウム単層膜のエピタキシャル成長とヤヌス化
〇元木 友佑1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[16p-PA7-19]金属薄膜形成が単層MoS2のラマンスペクトルに与える影響
〇谷川 哲彦1,2、張 文馨1、西野 隆太郎1、川那子 高暢1、入沢 寿史1、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.日大理工)
[16p-PA7-20]MoSe2/ MoS2ヘテロ二層膜におけるバンドオフセットの評価と層間励起子発光の観測
〇(M1)泉 侑希1、足立 智1、鍜治 怜奈1、林 世主2、丁 緒維2、張 文豪2 (1.北大院工、2.国立陽明交通大学)
[16p-PA7-21]フッ素プラズマ処理MoS2の顕微分光マルチモーダル分析
〇(B)諏訪 優太1,2、永村 直佳1,2、小嗣 真人1、野内 亮3 (1.理科大先進工、2.物材研、3.大阪公立大工)
[16p-PA7-22]Molybdenum Disulfide (MoS2): Superconductivity and Gate-Controlled K+ Intercalation
〇(DC)Alec Paul Romagosa1,2, Ricky Dwi Septiano2, Hideki Matsuoka2,3, Yutaka Majima1, Yoshihiro Iwasa2,3 (1.Science Tokyo, 2.RIKEN, 3.Tokyo Univ.)
[16p-PA7-23]層状IV-V族化合物GeAsのp型二次元チャネル材料としての可能性
〇浦上 法之1、蓮見 歩太1、木本 庸涼1、橋本 佳男1 (1.信州大工)
[16p-PA7-24]p-Si上のMoS2表面層からの光支援熱電子放出におけるキャリアダイナミクス
〇(M1)松嶋 力哉1、荻野 明久1 (1.静大院工)
[16p-PA7-25]薄層MXeneを利用した二次電池負極の開発
〇田中 友展1、佐々木 憲二1、下位 法弘1、大井 寛崇2、吉野 信行2 (1.東北工大工、2.日本材料技研株式会社)
[16p-PA7-26]歪んだ単結晶VO2のヒステリシスを利用した低電圧相転移誘起
〇笠原 泰介1、稲田 貢1、山本 真人1 (1.関西大システム理工)
[16p-PA7-27]液相剥離TaS2を酸化して得られたTaOx薄膜の絶縁性評価
〇河井 蒼空1、能見 彩音2、新井 洸大2、稲田 貢2、佐藤 伸吾2、高橋 智一2、青柳 誠司2、上野 啓司3、山本 真人2 (1.関西大システム理工、2.関西大院理工、3.埼玉大院理工)
[16p-PA7-28]セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの高性能化と動作安定化
〇渡邊 陽斗1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[16p-PA7-29]分子吸着による単層MoTe2チャネルFETの電気的特性変化
〇大野 太久斗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、星 裕介1 (1.東京都市大、2.NIMS)
[16p-PA7-30]Study of magnetoconductivity in dopant molecule-2D material hybrids
〇Mao Xu1, Hikaru Okuma1, Kazunori Ueno1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[16p-PA7-31]二次元物質半導体におけるイオン性液体ゲートのニューロモーフィック応用に向けた不揮発性メモリデバイス
〇(M1C)風間 柊飛1、相川 耀1、佐藤 翔太1、小川 蓮1、松本 蒼生1、須田 順子1、早川 竜馬1,2、若山 裕2、中払 周1 (1.東京工科大工、2.物質・材料研究機構)
[16p-PA7-32]表面電荷移動ドーピングによる二次元半導体のチャネル幅依存特性
〇(DC)小林 尭史1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
[16p-PA7-33]MoS2を用いた分子選択性能を持つセンサーデバイスの開発
〇高橋 彩乃1、伊瀬 亘1、横倉 聖也1、和泉 廣樹1、島田 敏宏1 (1.北大工)
[16p-PA7-34]Chemo-Electronic MoS2 Acetone Sensor at Room Temperature via Surface modulation by A Charge Transfer Complex
〇(D)CHEN LI1, Guanting Li1, Ramaraj Sakar Ganesh1, Mao Xu1, Hitoshi Tabata1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. Tokyo)
[16p-PA7-35]ITO基板上へのAlHfOの成膜とMoS2デバイスのゲート絶縁膜応用へ向けた検討
田村 天琉1、〇(B)横地 勇汰1、毛利 真一郎1、クドゥス アブドゥル2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
[16p-PA7-36]MoS2のSb2Te3コンタクトのショットキー接合特性の評価
〇(M1C)石川 慶1、張 文馨2、佐藤 嶺1、吉末 智志1、須田 順子1、畑山 祥吾2、齊藤 雄太3、前田 辰郎2、中払 周1 (1.東京工科大工、2.産総研、3.東北大)
[16p-PA7-37]アンバイポーラ動作抑制に向けたWSe2 P-FETの2Dコンタクト形成
〇杉山 紀成1、森戸 智2、若林 采佳2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大、3.NIMS)
[16p-PA7-38]AFM-Patterned Graphene Slit Gates for One-Dimensional Exciton Confinement in 2D Semiconductors
〇(P)Lata Chouhan1, Yuta Urano1, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi1, Ryo Kitaura1 (1.MANA, NIMS, 2.RCEOM, NIMS)
[16p-PA7-39]剥離MoS2薄片FETの電極接合に起因した水誘起動作不安定性
〇(M1)阪井 大雅1、野内 亮1 (1.大阪公立大院工)
[16p-PA7-40]二次元半導体人工ヘテロ構造における自動積層システムの構築
〇岸田 陸史1、出原 渉1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、俣野 眞一朗1、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質材料研究機構)
