講演情報
[16p-PB1-13]卓越した光学特性を有するa-SiCベース半導体の創製
〇川崎 宗則1、本多 謙介2 (1.山口大理、2.山口大創成科学)
キーワード：
半導体、吸光係数、導電性
当研究室においてN-doped a-SiCがCO2還元光触媒として活用可能であることが報告されている。しかし、a-SiCは吸光係数が小さく、変換効率が低いという問題がある。SiNの光学特性に着目した。SiNはa-SiCと比較して、深紫外において結合様式の違いから吸光係数が大きい。しかし、SiNは不導体であり、半導体として利用できない。本研究では、Nを添加することにより、高い導電性と吸光係数を示すN添加a-SiC半導体を創製することを目的とした。