講演情報
[16p-PB3-1]集束イオンビーム加工によるダイヤモンド窒素-空孔中心ピラープローブ作製法の最適化
〇(M2)福岡 爽人1、上杉 俊輔1、林 都隆1、Dwi Prananto1、安 東秀1 (1.北陸先端大)
キーワード:
量子センシング
ダイヤモンド中のNV中心は室温で長いコヒーレンス時間を持ち、磁気センシングに応用可能である。我々は走査型NVプローブ顕微鏡を開発したが、FIB加工にはNV中心の消失・劣化が課題だった。
本研究ではドーナツ状ガリウムイオンビームを用い、照射エネルギー5keV、電流43.95pA、加工直径1.0μmの条件で直径0.31μmのピラープローブを作製し、SEMとODMRでピラーの形状およびNV中心の有無を確認した。
本研究ではドーナツ状ガリウムイオンビームを用い、照射エネルギー5keV、電流43.95pA、加工直径1.0μmの条件で直径0.31μmのピラープローブを作製し、SEMとODMRでピラーの形状およびNV中心の有無を確認した。
