講演情報
[16p-PB4-25]固相及び気相成長法による Ge(110)基板上へのグラフェン成長
〇(M1C)山内 雅斗1、武田 怜士1、前田 文彦1 (1.福工大工)
キーワード：
グラフェン、固相およ気相成長法、Ge基板
本研究では、エピタキシャル成長した基板ではなく購入したGe(110)ウェーハ上へのグラフェン成長を試みた。2種のレジストを用いた固相成長と、エタノールとアセチレンによる気相成長の結果を比較した。全ての条件でグラフェン成長を確認でき、その中でS1818を用いた場合が最も良好であった。しかし、水素終端Ge上の成長に比べ結晶性は低く、高品質化には基板表面状態の制御が重要であることが示唆された。