講演情報
[16p-PB4-28]電荷トラップ型不揮発性メモリ性能向上に向けたフッ化グラフェン積層化プロセス
〇諸星 雄太1、眞下 航平1、石川 亮佑1、野平 博司1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
キーワード：
グラフェン、フッ化グラフェン
二次元層状材料のグラフェン(Gr)にフッ化処理を行うと、導体膜から絶縁膜へと変化する。これを利用して、フッ化グラフェン(FGr)を電荷捕獲層とした不揮発性メモリが提案され性能実証されている。現状FGrへの電荷捕獲機構は完全には明らかにはされていないものの、FGrの積層化がデバイス性能の向上につながると考えた。そこで本研究では、単層のFGrの転写を繰り返すことで積層化しメモリ特性の向上と電荷捕獲機構の解明を目指す。