講演情報
[16p-PB4-32]部分的にHインターカレーションしたSiC上グラフェンの仕事関数
〇(M2)久保 麿大1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
グラフェン、仕事関数、SiC
グラフェンは、次世代電子デバイス材料として期待されている。近年では、水素インターカレーションによりSiC基板とグラフェンとの界面状態を制御することで、グラフェンの仕事関数や電子状態が変化する可能性が指摘されている。前回までの学会発表ではHインターカレーションによる仕事関数への影響について発表した。そこで本研究では、部分的にHインターカレーションを行い、前回の結果と仕事関数や電荷移動がどのように変化するのかを明らかにすることを目的として研究を行った。