講演情報
[16p-PB4-35]グラフェン/MoTe2縦型ヘテロ構造による光検出素子の作製と評価
〇窪田 剛1、梶原 大輝1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、森山 悟士1、岩崎 拓哉2 (1.電機大、2.NIMS)
キーワード：
MoTe2、光検出
二次元物質の(2H-)MoTe2は可視～赤外領域に高い光吸収係数を有するため、高感度光検出器の材料として注目されている。一方、電荷キャリア移動度が本質的に小さいため高速動作は困難であるが、高移動度のグラフェン(Gr)を光励起キャリア輸送層として組み合わせることで高速・高感度検出を両立できる可能性がある。本研究では膜厚 ≤ 5 nmのMoTe2を用いたGr/MoTe2/Gr縦型デバイスを作製し、その電気伝導の光応答を評価した。