講演情報
[16p-PB4-39]アセチレンを用いたCVD法によるAg箔上へのグラフェン成長
〇(M2)岩谷 光1、前田 文彦1 (1.福工大工)
キーワード：
グラフェン、銀
エタノールを用いたCVD法によるグラフェン成長の研究を開始し、これまで銀表面へのグラフェン成長が可能であるが、銀の高い蒸気圧が高品質化を阻害しており、キャリアガスへの水素添加による表面改質がグラフェンの高品質化に有効であることを示した。今回は、材料ガスを蒸気圧が低いエタノールから、大気圧での成長に対応できるアセチレンに材料ガスを変更してCVD成長を試みた。その結果、材料ガスがエタノールの場合よりもアセチレンの方がグラフェンの結晶性が良く、この結晶性の相違の原因は現状では不明であるが、両者の分解生成種の銀表面との反応が異なり、銀の蒸発に影響した結果と考えている。