講演情報
[16p-W2_401-10]低温成長によるAlGaN系UV-B半導体レーザーダイオードの大幅な高性能化
〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN、紫外レーザーダイオード（UV LD）
MOVPE における窒化物半導体の最適成長温度は InN～AlN で大きく異なり，AlGaN UV デバイスでは従来 1000–1300 ℃ が用いられてきた。一方，高温成長は Al 組成差界面での原子拡散により界面急峻性を損なう。そこで低温成長により拡散を抑制し，MQW 品質向上と ηi 改善を示してきた。本研究では Jth，αi，ηi を評価し，UV-B LD の最適成長温度を検討する。