セッション詳細

[16p-W2_401-1~17]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年3月16日(月) 13:00 〜 17:45
W2_401 (西2号館)

[16p-W2_401-1]スパッタ・アニール法により作製したAlN上の薄膜GaN成長とUVC-LEDの高効率化

〇赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、小幡 俊之4、山下 憲二4、土谷 正彦4、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構、4.スタンレー電気)

[16p-W2_401-2]275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの長寿命化

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、大矢 昌輝2、宮﨑 敦嗣2、坊山 晋也2、齋藤 義樹2、田中 敦之3、本田 善央4、天野 浩3、石黒 永孝4、竹内 哲也4 (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名大IMaSS、4.名城大理工)

[16p-W2_401-3]高AlNモル分率AlGaN混晶の室温発光寿命

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、竹久 哲平2、三輪 浩士3、宮﨑 敦嗣3、坊山 晋也3、齋藤 義樹3、石黒 永孝2、竹内 哲也2 (1.東北大多元研、2.名城大理工、3.豊田合成)

[16p-W2_401-4]加圧加熱水を用いた AlGaN のエッチング挙動における AlN モル分率依存性と選択性評価

〇松原 衣里1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

[16p-W2_401-5]加熱加圧水剥離後に形成される変質層のウェットエッチングによる除去 と縦型UV-B AlGaN系LDへの応用

〇(M1)宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、佐々木 祐輔1、丸山 竣大1、三宅 倫太郎1、狩野 祥吾1、渡辺 崚太1、神谷 始音1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、松原 衣里1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[16p-W2_401-6]低抵抗n型オーミックコンタクトを用いた深紫外AlGaNレーザダイオード

〇江端 一晃1、廣木 正伸1、川崎 晟也1、舘野 功太1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[16p-W2_401-7]n-Al0.62Ga0.38NにおけるN極性・メタル極性両面でのオーミック電極形成とAl膜厚依存性

〇(M1)渡辺 崚太1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、小出 康夫1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[16p-W2_401-8]AlGaN 系 UV-B レーザーダイオードにおける結晶欠陥とデバイス特性劣化の相関

〇加藤 晴也1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、神谷 始音1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.三重大学)

[16p-W2_401-9]低温成長による AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー活性層の光学利得特性の改善

〇小林 倫太朗1、丸山 竣大1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 峻太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

[16p-W2_401-10]低温成長によるAlGaN系UV-B半導体レーザーダイオードの大幅な高性能化

〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[16p-W2_401-11]AlGaN 系UV-B LD におけるAlN モル分率制御による発振波長拡張とデバイス特性評価

〇谷川 智也1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、神谷 始音1、宮本 侑茉1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[16p-W2_401-12]Well/Guide 間バンドギャップ差が AlGaN 系 UV-B LDの COD 特性に与える影響

〇(B)北川 賢汰1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[16p-W2_401-13]サファイア基板上AlGaN系レーザーダイオードの318 nm室温CW発振

〇(M2)三宅 倫太郎1、齋藤 功夢1、狩野 祥吾1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、岩山 章1、三宅 秀人2、難波江 宏一3、神 好人4、寅丸 雅光4、松本 竜弥4、島崎 好広4、鳥居 博典5、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大工、3.ウシオ電機、4.日本製鋼所、5.JSWアフティ)

[16p-W2_401-14]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける実装構造最適化による熱抵抗低減の検討

〇神谷 始音1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.三重大・院・工)