[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:15 〜 13:30

[16p-W2_401-2] 275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの長寿命化

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、大矢 昌輝²、宮﨑 敦嗣²、坊山 晋也²、齋藤 義樹²、田中 敦之³、本田 善央⁴、天野 浩³、石黒 永孝⁴、竹内 哲也⁴ (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名大IMaSS、4.名城大理工)

キーワード：

窒化物半導体、深紫外LED、AlGaN混晶

AlGaN深紫外LEDに特有な初期劣化のメカニズムについて構築したモデルに従い、長寿命化対策をした275nm帯LEDの特性について報告する。