[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:30 〜 13:45

[16p-W2_401-3] 高AlNモル分率AlGaN混晶の室温発光寿命

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、竹久 哲平²、三輪 浩士³、宮﨑 敦嗣³、坊山 晋也³、齋藤 義樹³、石黒 永孝²、竹内 哲也² (1.東北大多元研、2.名城大理工、3.豊田合成)

キーワード：

窒化物半導体、深紫外LED、AlGaN混晶

高AlNモル分率AlGaN混晶の室温バンド端発光寿命のMOVPE成長温度依存性について考察を行った結果を報告する。