[16p-W8E_307-1~11] 15.1 バルク結晶成長

15:00 〜 15:15

[16p-W8E_307-3] 垂直ブリッジマン法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体単結晶成長を想定した温度測定

〇高木 大地¹、太子 敏則¹、佐田野 正崇²、青山 浩一郎² (1.信大工、2.住電半導体材料)

キーワード：

半導体、VB法