[16p-W8E_307-1~11] 15.1 バルク結晶成長

15:45 〜 16:00

[16p-W8E_307-5] OCCC法を用いた 2インチサイズβ-Ga2O3結晶成長の検討

〇(D)北原 正典^1,2,3、富田 健稔³、Kochurikhin Vladimir³、庄子 育宏^2,3、鎌田 圭^2,3,4、柿本 浩一¹、吉川 彰^1,3,4 (1.東北大学金研、2.株式会社FOX、3.株式会社C&A、4.東北大学NICHe)

キーワード：

酸化ガリウム、半導体、結晶

基板用途の大型化を目的に、直径70〜150 mmの水冷式バスケットを用いて高純度β‑Ga₂O₃粉末・焼結体から結晶成長を行った。300 kHz〜2 MHzの周波数で試験し、複数回の材料装填により融液バスケット内に焼結体を形成する状態を実現した。その結果、最大2インチ超のバルクβ‑Ga₂O₃単結晶の育成に成功した。本成果は、貴金属坩堝を用いない結晶成長法の実現性と大型化への可能性を示す。詳細な物性評価は当日報告する。