講演情報
[16p-W9_222-4]少数データセットにおけるガウス過程回帰を用いた単一濃度・温度条件に対するSi3N4膜のウェットエッチング量予測
〇(M1)平田 佑亮1、柴田 行輝1、三澤 奈央子1、太田 喬2、吉永 祐貴2、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工、2.株式会社スクリーンセミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
ウェットエッチング、ガウス過程回帰
半導体製造プロセスにおける枚様式ウェットエッチングでは，適切なエッチング量を実現するためにレシピを最適化することが必要とされる．本研究では，ウェハの回転数や液薬を滴下するノズルの動きをパラメータとして，ガウス過程回帰モデルを用いることで，少数の学習データセットでも正確なエッチング量予測ができることを示した．また，異なるデータパターンを示すデータセットを組み合わせて学習することで，モデルの汎化性能が向上することも示された．