講演情報
[16p-W9_222-5]ガウス過程回帰を用いた複数の薬液条件におけるSiO2膜/Si3N4膜のウェットエッチング量予測
〇(M1)平田 佑亮1、三澤 奈央子1、太田 喬2、吉永 祐貴2、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工、2.株式会社スクリーンセミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
ウェットエッチング、ガウス過程回帰
半導体製造プロセスにおける枚様式ウェットエッチングでは，適切なエッチング量を得るためのレシピ最適化が重要である．本研究では薬液濃度および温度条件を考慮したガウス過程回帰モデルにより，エッチング量（Etching Rate: ER）の予測を行う．濃度や温度の影響をモデル中の平均関数に反映することで，複数の薬液条件下で，限られたデータからの高精度な予測を実現した．