[16p-W9_323-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

15:45 〜 16:00

[16p-W9_323-11] エピタキシャルMg₃Sb₂/Siの電気特性および光応答特性

〇坂根 駿也¹、切通 望¹、小林 涼祐¹、鮎川 瞭仁¹、根城 虹希¹、栗山 武琉¹、山本 若葉²、安原 聡²、佐藤 康平²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大、2.日本電子)

キーワード：

Mg3Sb2、ジントル相化合物、エピタキシャル成長

我々はこれまでSi基板上にMg₃Sb₂をエピタキシャル成長させ、整流性及び光応答を初めて確認した。しかし、Mg₃Sb₂の光学特性について明らかにされていない。そこで本研究では、エピタキシャルMg₃Sb₂/Siにおける電気特性および光応答特性を詳細に調べることを目的とした。作製したフォトダイオードに対して電流-電圧測定を行なうと、明瞭な整流性を示した。さらに、分光感度特性を取得すると、170Kにおいて1200~1600nmにおいて明瞭な感度が得られた。