[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15

[16p-W9_324-2] コールドウォールMOCVD法による(001)面β型酸化ガリウム膜の高速成長

〇(PC)浮田 駿¹、奥村 宏典¹ (1.筑大数理)

キーワード：

酸化ガリウム