セッション詳細
[16p-W9_324-1~17]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2026年3月16日(月) 13:30 〜 18:30
W9_324 (西9号館)
座長：大島 孝仁(物材機構)、 宇野 和行(和歌山大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
[16p-W9_324-4]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (1):
High-Density Oxygen Radical Source (HD-ORS) for MBE and PVD
〇(P)Michael Mo1, Arun Kumar Dhasiyan1, Nikolay Britun1, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
[16p-W9_324-5]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (2): Homoepitaxial Growth of β-Ga2O3 on Sn-doped Ga2O3 Substrates Using a Novel High-Density Oxygen Radical Source (HD-ORS) for MBE
〇ArunKumar Dhasiyan1, Tomoki Takeda2, Naofumi Kato2, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
[16p-W9_324-6]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (3):高密度酸素ラジカル源(HD-ORS)を用いた物理蒸着法(PVD)によるSnドープGa₂O₃基板上での β‑Ga₂O₃のホモエピタキシャル成長
〇武田 友樹2、加藤 尚文2、Dhasiyan Arun Kumar1、清水 尚博1、小田 修1,2、堀 勝1 (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)
[16p-W9_324-7]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (4):Si基板の酸化防止のためのウェットエッチングとラングミュア吸着（エピタキシャル成長前処理）
〇小田 修1,2、Dhasiyan Arun Kumar1、武田 友樹2、加藤 尚文2、清水 尚博1、堀 勝1 (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)
[16p-W9_324-8]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (5): Hetero-Epitaxial Growth of Ga2O3 on Si (100) Substrates
〇ArunKumar Dhasiyan1, Tomoki Takeda2, Naofumi Kato2, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
[16p-W9_324-9]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (6):p型Ga系半導体の創成におけるNiOドープ拡散層の考察
〇清水 尚博1、Dhasiyan Arun Kumar1、小田 修1,2、五十嵐 信行1、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.NU-Rei株式会社)
[16p-W9_324-10]減圧ホットウォールMOVPE法による2インチ径β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル厚膜の成長
〇伊庭 義騎1、寺内 悠真1、吉永 純也1,2、橋本 健宏3、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.住友金属鉱山株式会社)
[16p-W9_324-11]THVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長
〇北川 晴輝1、吉田 直輝1、村上 尚1、熊谷 義直2 (1.農工大院AIS、2.農工大院工)
[16p-W9_324-15]VB法による直径4インチ高品質(010)β-Ga2O3基板の開発
〇太子 敏則1、山本 裕貴2、清水 成宜2、水越 健輔3、西野入 隆3、干川 圭吾1 (1.信大工、2.オキサイド、3.セラテックジャパン)