2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-W9_324-1~17]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年3月16日(月) 13:30 〜 18:30
W9_324 (西9号館)
13:30 〜 14:00

[16p-W9_324-1][第47回解説論文賞受賞記念講演] β型酸化ガリウムの展望: 今、そして未来へ

〇佐々木 公平1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
14:00 〜 14:15

[16p-W9_324-2]コールドウォールMOCVD法による(001)面β型酸化ガリウム膜の高速成長

〇(PC)浮田 駿1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)
14:15 〜 14:30

[16p-W9_324-3]HCl-HVPEによる(011) β-Ga2O3の高速ホモエピ成長

〇大島 祐一1、大島 孝仁1 (1.NIMS)
14:30 〜 14:45英語発表

[16p-W9_324-4]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (1):
High-Density Oxygen Radical Source (HD-ORS) for MBE and PVD

〇(P)Michael Mo1, Arun Kumar Dhasiyan1, Nikolay Britun1, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
14:45 〜 15:00英語発表

[16p-W9_324-5]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (2): Homoepitaxial Growth of β-Ga2O3 on Sn-doped Ga2O3 Substrates Using a Novel High-Density Oxygen Radical Source (HD-ORS) for MBE

〇ArunKumar Dhasiyan1, Tomoki Takeda2, Naofumi Kato2, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
15:15 〜 15:30

[16p-W9_324-6]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (3):高密度酸素ラジカル源(HD-ORS)を用いた物理蒸着法(PVD)によるSnドープGa₂O₃基板上での β‑Ga₂O₃のホモエピタキシャル成長

〇武田 友樹2、加藤 尚文2、Dhasiyan Arun Kumar1、清水 尚博1、小田 修1,2、堀 勝1 (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)
15:30 〜 15:45

[16p-W9_324-7]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (4):Si基板の酸化防止のためのウェットエッチングとラングミュア吸着（エピタキシャル成長前処理）

〇小田 修1,2、Dhasiyan Arun Kumar1、武田 友樹2、加藤 尚文2、清水 尚博1、堀 勝1 (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)
15:45 〜 16:00英語発表

[16p-W9_324-8]Epitaxial Growth of Gallium Oxide (5): Hetero-Epitaxial Growth of Ga2O3 on Si (100) Substrates

〇ArunKumar Dhasiyan1, Tomoki Takeda2, Naofumi Kato2, Naohiro Shimizu1, Osamu Oda1,2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., CLPS, 2.NU-Rei, Inc.)
16:00 〜 16:15

[16p-W9_324-9]酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (6):p型Ga系半導体の創成におけるNiOドープ拡散層の考察

〇清水 尚博1、Dhasiyan Arun Kumar1、小田 修1,2、五十嵐 信行1、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.NU-Rei株式会社)
16:15 〜 16:30

[16p-W9_324-10]減圧ホットウォールMOVPE法による2インチ径β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル厚膜の成長

〇伊庭 義騎1、寺内 悠真1、吉永 純也1,2、橋本 健宏3、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.住友金属鉱山株式会社)
16:30 〜 16:45

[16p-W9_324-11]THVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長

〇北川 晴輝1、吉田 直輝1、村上 尚1、熊谷 義直2 (1.農工大院AIS、2.農工大院工)
17:00 〜 17:15

[16p-W9_324-12]酸素格子から考えたβ型酸化ガリウムの主要な結晶面方位

〇大島 孝仁1 (1.NIMS)
17:15 〜 17:30

[16p-W9_324-13](011)近傍面方位β-Ga2O3基板上HCl系ハライド気相成長とHClガスエッチング

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
17:30 〜 17:45

[16p-W9_324-14]原料供給型引き下げEFG法によるβ-Ga2O3結晶育成の実証

〇上田 悠貴1、輿 公祥1、長谷川 将1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.NCT)
17:45 〜 18:00

[16p-W9_324-15]VB法による直径4インチ高品質(010)β-Ga2O3基板の開発

〇太子 敏則1、山本 裕貴2、清水 成宜2、水越 健輔3、西野入 隆3、干川 圭吾1 (1.信大工、2.オキサイド、3.セラテックジャパン)
18:00 〜 18:15

[16p-W9_324-16]VB法で育成した[010] β-Ga2O3単結晶中の線状ボイドの分布評価

宮城 右京1、〇太子 敏則1、干川 圭吾1 (1.信大工)
18:15 〜 18:30

[16p-W9_324-17]非選択エッチングを見据えたβ-Ga2O3 の溶解挙動の評価

〇大塚 葵衣1、塚田 太郎1、太子 敏則1 (1.信大工)
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