[16p-W9_326-1~11] 3.12 半導体光デバイス

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-W9_326-1] 光集積回路の高機能化に向けたSOI基板上異種材料/MEMS統合集積プロセスの検討

〇櫻井 大生¹、土屋 良重²、大磯 義孝¹、Kaibin Yao¹、Haoyu Chen¹、Eissa Moataz¹、堀川 剛¹、川原 啓輔¹、西山 伸彦^1,3 (1.東京科学大、2.サウサンプトン大、3.東京科学大次世代半導体エコシステム共生センター)

キーワード：

光集積回路、MEMS、異種材料集積

近年、AIやIoTサービスの普及に伴い、光集積回路の重要性や性能要求が高まっている。我々はこれまで、光集積回路に向けた、異種材料集積技術提案してきた[1][2]。今回、更なる光集積回路の高機能化に向け、それぞれ独立して研究開発が行われてきた異種材料集積と光MEMS技術を統合することを提案する。その一歩として、本報告では、Ⅲ‐Ⅴ属半導体チップが異種材料集積されたSOI基板上でのMEMS作製プロセスについて報告する。