講演情報
[16p-W9_326-2]1-µm帯InGaAs/GaAs半導体薄膜レーザの埋め込みリッジ構造の検討
〇(M1)伊藤 竣1、大礒 義孝1、今川 敬心1、西山 伸彦1,2 (1.科学大工、2.NEX-SECC)
キーワード：
半導体レーザ、メンブレンレーザ
半導体薄膜レーザは、高効率、低消費電力な直接変調光源として将来の光チップレットやオンチップ光配線への利用が期待される。しかし100度を超える高温となりうる電子回路直近への配置において、従来のInP系レーザの利用は困難である。そこで高温下での高い特性が証明されている1μm帯InGaAsを導入した薄膜レーザの実現を目指し、光閉じ込めと低抵抗化を両立する埋め込みリッジ構造の設計を行ったため、ご報告する。