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13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[16p-W9_327-1]真空蒸着によるアモルファスGe-Sn-S三元薄膜の創製と選択素子への応用

〇(M1C)猪瀬大貴¹、金美賢¹、畑山祥吾²、齊藤雄太^1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)

キーワード：

セレクタ、真空蒸着、アモルファスカルコゲナイド

アモルファスカルコゲナイドからなる新規セレクタ材料の創製に向けて, 高耐熱化と低閾値電圧化を目的としてGe-Sn-S三元系アモルファス薄膜の研究開発を行った. 真空蒸着およびRFスパッタリングにて成膜した後, Arフロー下で熱処理を施した. 得られた薄膜についてXRD測定を行い耐熱性を評価した結果, 組成により結晶化挙動が大きく異なることが分かった. Ge₂₇Sn₁₇S₅₆薄膜については300 ℃までアモルファス相を呈し, 400 ℃熱処理で結晶化した.

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