講演情報
[16p-WL2_101-2]Zintl相EuGe2の電気伝導における膜厚依存性
〇牛尾 誠1、寺田 吏2、塚﨑 敦1 (1.東大工、2.阪大院基礎工)
キーワード：
ジントル相、金属絶縁体転移、薄膜
Zintl相化合物であるEuGe2はバルクでは金属となることが知られているが、極薄膜での電気伝導性の詳細は報告されていなかった。本研究では、分子線エピタキシー法を用いて8~100 nmのEuGe2を作製した。その結果金属から絶縁体への転移が確認され、また15 nmから系統的に絶縁化するという膜厚に依存した金属絶縁体転移としては特徴的な振る舞いが観測された。