[16p-WL2_101-1~11] 6.4 薄膜新材料

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[16p-WL2_101-9] ALDプロセスε-Ga₂O₃膜形成に向けたアミド系プリカーサの反応機構

〇(B)新海 翔大¹、中河西 翔¹、早水 一朗¹、大谷 知輝²、町田 英明³、小椋 厚志²、大下 祥雄¹、沼田 敏典¹ (1.豊田工大、2.明治大、3.気相成長)

キーワード：

ALD法、Ga2O3、量子化学計算

Ga₂O₃は結晶多形を有し、準安定相のε相において強誘電性を示すことが報告されている。
準安定相膜の形成には下地との格子整合、不純物や応力、そして温度などプロセス制御がカギとなる。アミド系プリカーサであるTDMAG(dimethyl amido) gallium)は、危険性が低く、炭素不純物が少ないことが期待される。今回はTDMAGの反応機構について発表する。