[16p-WL2_201-1~10] 3.10 フォトニック構造・現象

15:45 〜 16:00

[16p-WL2_201-9] SiN導波路に集積したInP/InAsナノワイヤWGM共振器からの第二高調波発生

〇滝口 雅人^1,2、章 国強^1,2、Chen Siyu²、相原 卓磨³、徐 学俊²、後藤 秀樹^2,4、眞田 治樹²、角倉 久史^1,2、納富 雅也^1,2,5 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.NTT 先デ研、4.広島大、5.科学大理)

キーワード：

ナノワイヤ、WGM、SHG

本研究では、シリコンナイトライド導波路上に化合物半導体ナノワイヤを集積し、ナノワイヤのWhispering Gallery Mode (WGM)を利用した強い相互作用による第二高調波発生（Second Harmonic Generation: SHG）の観測を行った。WGMを用いることで、共振器の光増強効果と、ナノワイヤ表面の結晶構造の対称性の崩れた領域を集中的に励起できるため、効率的なSHGを生成することができる。