講演情報
[17a-M_103-3]プラズマ酸化～SiO2/Si界面のパッシベーションの実時間観察～
〇布村 正太1、鎌滝 晋礼2、白谷 正治2 (1.産総研、2.九大)
キーワード：
プラズマ酸化、原子層プロセス、パッシベーション
先端半導体デバイスや高効率太陽電池において、シリコン酸化膜はシリコン表面を良好にパッシベーションする絶縁膜として広く用いられる。通常、このシリコン酸化膜は、シリコンの熱酸化やケミカル酸化などにより形成されるが、膜厚が極薄（<2nm）ゆえに、その制御や絶縁性、パッシベーション性などを高いレベルで共存させることは容易ではない。一方、プラズマ酸化は、非平衡低温プロセスに由来し、パッシベーション性の高い絶縁酸化膜を極薄に形成できる特徴を有する。また、このプラズマ酸化は、近年、原子層プロセス（atomic layer process）などでの材料表面の酸化やカーボン除去の工程おいて多用されているが、酸化の初期過程は十分に解明されていない。そこで、今回、シリコンを対象にプラズマ酸化の初期過程を膜厚及びパッシベーション（酸化膜/シリコンの界面欠陥量）の観点から調査したので報告する。