2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-M_103-1~13]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:30
M_103 (本館)
9:00 〜 9:15

[17a-M_103-1]大気圧マイクロプラズマジェットを用いたポリマー表面改質の周波数依存性

谷口 悠輝1、國岡 渓太1、〇呉 準席1、白藤 立1、八田 章光2 (1.大阪公大工、2.高知工科大)
9:15 〜 9:30

[17a-M_103-2]プラズマ自己停止改質によるAlNセラミックスの均一表面改質

〇孫 栄硯1、陶 通1、大久保 雄司1、山村 和也1 (1.阪大工)
9:30 〜 9:45

[17a-M_103-3]プラズマ酸化～SiO2/Si界面のパッシベーションの実時間観察～

〇布村 正太1、鎌滝 晋礼2、白谷 正治2 (1.産総研、2.九大)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[17a-M_103-4]金属ゲート電極を介した窒素ラジカル後処理がゲートスタック界面構造に及ぼす効果

〇矢野 瑞紀1、城戸 ほの佳1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-M_103-5]窒素ラジカル後処理によるHigh-kゲート絶縁膜の定電流ストレス体制改善とTiN膜厚依存性

〇城戸 ほの佳1、矢野 瑞紀1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
10:15 〜 10:30

[17a-M_103-6]高純度オゾンを用いた低ダメージプラズマプロセスの開発

〇元田 総一郎1、西口 哲也1、岡留 裕磨1、原山 絢多1、山田 春樹1 (1.明電ナノプロセス)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[17a-M_103-7]デジタルツインを用いたTSV用SF6代替低GWPエッチングガスの開発

〇市川 菜摘1、石川 卓司1、石伏 未来1、岡本 鈴佳1、野尻 康弘1、林 久貴1 (1.ダイキン工業株式会社)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[17a-M_103-8]NF3系プラズマによるSiOCN高選択エッチング機構に関する検討

〇郷矢 崇浩1、平田 瑛子1、深沢 正永1、水林 亘1、林 喜宏1 (1.産総研　先端半導体研究センター)
11:15 〜 11:30

[17a-M_103-9]ECRプラズマを用いたラジカルエッチングの面内分布制御

〇岩瀬 拓1、井上 湧次1、中谷 侑亮2、園田 靖2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
11:30 〜 11:45

[17a-M_103-10]ラジカルエッチング装置における磁場を利用したイオン遮蔽構造

〇井上 湧次1、岩瀬 拓1、中谷 侑亮2、園田 靖2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
11:45 〜 12:00

[17a-M_103-11]RAXIO®におけるRadical/Ion switchを用いたトレンチ形状制御プロセス

〇瀧本 壽来生1、中谷 侑亮1、園田 靖1、佐藤 清彦1、岩瀬 拓2 (1.日立ハイテク、2.日立研開)
12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[17a-M_103-12]2 ステップ TiN 加工法を実現するための堆積膜形成条件

〇益子 侑大1、岩瀬 拓1、佐竹 真1、園田 靖2、田中 基裕2、小藤 直行2、前田 賢治2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
12:15 〜 12:30

[17a-M_103-13]マイクロ波ECRプラズマにおけるガス解離効率向上のための手法

〇薬師寺 守1、桑原 謙一1、山田 将貴2 (1.日立ハイテク、2.日立研開)
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