講演情報
[17a-M_110-4]CsLiB6O10結晶における深紫外光誘起吸収の定量評価
〇大浦 龍之介1、森田 孝太郎1、南部 誠明1、村井 良太2、高橋 義典2、五十嵐 裕紀3、森 勇介2,4、吉村 政志1,2 (1.阪大レーザー研、2.創晶超光、3.ギガフォトン、4.阪大院工)
キーワード：
深紫外光、非線形光学結晶、二光子吸収
固体深紫外（DUV）光源の高出力化を阻むCsLiB6O10結晶の紫外光誘起吸収に関し、その発生機構を定量的に調査した。素子の光軸方向への走査と数値計算モデルを併用し吸収係数の空間分布を評価する手法を開発し、解析の結果、吸収係数増加が光強度の二乗に比例することを確認した。これはCLBOにおける二光子吸収による吸収欠陥形成を示唆する初めての結果であり、欠陥形成の程度を示す新規係数ηtpi(tpi : two-photon-induced)を新たに定義した。