講演情報
[17a-M_110-7]常温接合を用いた高出力ZnSe赤外波長変換デバイスの開発
〇(M1)尾谷 時史1、佐藤 大輝1、中村 恵太1、庄司 一郎1 (1.中央大理工)
キーワード：
レーザ、波長変換
高出力な中赤外発生デバイスの開発を目的に、常温接合を用いたZnSeの多層積層構造を試作しました 。従来、接合界面の埃による散乱損失が課題でしたが、クリーニング時の光源を青色に変更し、土台をSiへ変更することで視認性を高め、埃の混入を抑制しました 。その結果、干渉縞が消失し、10.6 µmにおける1界面あたりの損失を2.7%から0.83%まで大幅に低減することに成功しました 。