[17a-M_110-1~13] 3.4 レーザー装置・材料

11:00 〜 11:15

[17a-M_110-8] 屈折率制御を用いたAlN 深紫外第二高調波発生デバイスの提案

〇(B)山田 秋人¹、南部 誠明¹、宇佐見 康二²、小川 尚史²、佐野 雅彦²、吉村 政志¹ (1.阪大レーザー研、2.日亜化学工業)

キーワード：

波長変換、擬似位相整合、第二高調波発生

小型・高効率な深紫外レーザ光源の実現を目的として、AlN に適応可能な擬似位相整合（QPM）第二高調波発生（SHG）デバイスを提案する。
AlN非線形領域と非晶質材料からなる線形領域を周期配置することで、QPM構造を実現する。
原子層堆積法による混合成膜により線形領域の屈折率を AlN に近づけることで、回折損失の低減が期待される。
さらに、m面側壁を有する導波路構造とランプ状屈折率界面により導波路散乱および高次回折成分の抑制が期待される。