講演情報
[17a-M_135-7]半導体レーザのフェイスダウン実装におけるI-L特性の評価
〇川口 義允1、谷口 清人1、板谷 太郎2、乗木 暁博2、前田 讓治1、天野 健2 (1.東京理大、2.産総研)
キーワード：
半導体レーザ、I-L特性
近年のデータセンタにおける情報処理システムは、Co-Packaged Optics（CPO）を導入することにより、低消費電力化、高速化の実現を図っている。半導体レーザをCPOで集積化実装をした場合、特性の劣化に伴う光出力の低下などが課題となる。本報告では、活性層から放熱基板までの距離を短くして放熱を促すために、活性層の直上にあるp型電極を放熱板に接触させるフェイスダウン方式で評価を行った。