[17a-M_178-1~13] 17.3 層状物質

9:00 〜 9:15

[17a-M_178-1] [第59回講演奨励賞受賞記念講演] トポロジカル磁性体Cr₃Te₄のイオンゲートによる磁性制御

〇遠藤 幹大¹、松岡 秀樹^2,3、岩佐 義宏^3,1、中野 匡規^1,3,4 (1.東大院工、2.東大生研、3.理研CEMS、4.芝浦工大工)

キーワード：

トポロジカルホール効果、イオンゲート、ファンデルワールス磁性体

トポロジカル磁気構造は、低電流駆動が可能な次世代スピントロニクス素材として注目されている。我々はファンデルワールス強磁性体Cr₃Te₄薄膜の熱処理により、室温ゼロ磁場でのトポロジカルホール効果（THE）発現を見出した。本講演では、電気化学的LiインターカレーションによるTHEのゲート制御を報告する。これによりトポロジカル磁性相と強磁性相の完全なスイッチングに成功しており、その物理的起源を議論する。