講演情報
[17a-M_178-5]CrS2原子層薄膜の作製と高分解能ARPES
〇山本 晃輝1、栁沢 幸紀1、西上 莉楓1、菅原 克明1,2,3、小澤 健一4、大坪 嘉之5、高橋 隆1、佐藤 宇史1,2,6,7,8 (1.東北大院理、2.東北大 WPI-AIMR、3.JST-PRESTO、4.高エ研物構研、5.量研機構、6.東北大CSIS、7.東北大SRIS、8.東北大MathCSS)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法、強磁性薄膜
Crを基本とした遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)が高いキュリー温度をもつ原子層強磁性体として注目を集めている。しかしながら、カルコゲン原子に依存したCr系TMD原子層薄膜の作製および詳細な電子状態は未だ報告されておらず、物性は未解明なままである。本講演では、MBE法とトポタクティック法を用いた単層CrS2の試料作製法を示すとともに、高分解能ARPESとXMCD実験の結果について報告する。