[17a-M_278-1~13] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-M_278-9] 最表面に ZrO₂層を有する強誘電性 Hf_xZr_1-xO₂薄膜の結晶相の深さ方向分布の理解

〇高久 理名¹、女屋 崇^1,2、田村 敦史¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域、2.物質・材料研究機構)

キーワード：

原子層堆積法、HfO2系強誘電体薄膜

原子層堆積(ALD)法を用いた強誘電性Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)薄膜の形成手法として，我々は 10 nm の HZO 固溶体膜の最表面に ZrO₂層を積層して熱処理すると，強誘電性が大きく向上することを既に報告した。最表面のZrO₂ 層の強誘電相の形成効果が最表面のみの局所的なものか，膜全体に及ぶものかは不明である。本研究では，エッチング前後の X 線回折(XRD)ピーク減少量が各深さにおける結晶相の平均的な存在量を反映することに着目した。薄膜表面で~nm のエッチングを繰り返すことで大まかな結晶相分布をXRD 解析から求めた。