セッション詳細
[17a-M_278-1~13]CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション
2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:30
M_278 (本館)
[17a-M_278-1]CeO2-HfO2厚膜の強誘電性および厚膜の配向依存性
〇今村 隼士1、岡本 一輝1、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大、2.TDK株式会社)
[17a-M_278-2]酸素・アルゴン混合ガス雰囲気下における強誘電性ハフニアのPLD成長
〇槇 麟太郎1、Yufan Shen1、藤 颯太1、菅 大介2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.阪大工)
[17a-M_278-3]分極軸配向したHfO2基強誘電体膜の作製と評価
〇土屋 裕太郎1、中村 美子1、古賀 彩月1、今村 隼士1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、加賀谷 康永2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
[17a-M_278-4]RFマグネトロンスパッタリング法を用いたSi直上でのY添加HfO2薄膜の作製と強誘電特性
〇近藤 真矢1,2、小野 友慈2、小林 俊介3、Paul Schwermer4、岡本 一輝5、舟窪 浩5、藤井 達生2、寺西 貴志2,5、岸本 昭2、Uwe Schroeder4、山田 智明1,6 (1.名大、2.岡山大、3.JFCC、4.NaMLab、5.科学大、6.科学大MDX)
[17a-M_278-5](Hf,Zr)O2薄膜のフラッシュランプアニールによる結晶化にシード層が及ぼす効果
〇佐野 行哉1、三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、谷 勇佑2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大院工、2.SCREEN セミコンダクターソリューションズ)
[17a-M_278-6]Y添加HfO2薄膜におけるOrthorhombic相形成に及ぼすY濃度および酸素欠損量の影響
〇宇田川 浩太1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大情報理工学)
[17a-M_278-7]古典分子動力学法を用いたortho相結晶HfO2の強誘電性の再現
〇(B)山本 宙1、西村 祐亮1、大場 淳平1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
[17a-M_278-8]機械学習分子動力学シミュレーションによるHfO2結晶の強誘電特性とα-HfO2/SiO2界面ダイポール層の再現
〇(B)野村 拓樹1、西村 祐介1、大場 淳平1、内藤 真慈1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
[17a-M_278-9]最表面に ZrO2層を有する強誘電性 HfxZr1-xO2薄膜の結晶相の深さ方向分布の理解
〇高久 理名1、女屋 崇1,2、田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域、2.物質・材料研究機構)
[17a-M_278-10]HfO2の強誘電性は何故~5nm以下の膜厚で急激に消失するのだろうか?
〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
[17a-M_278-11]Correlation of Pinch Loop, Wake-Up, and Imprint in Sub-5 nm HZO Metal-Ferroelectric-Metal Capacitor
〇(DC)Zhenhong Liu1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi2, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. Tokyo, 2.Teikyo Univ.)
[17a-M_278-12]レーザー励起光電子顕微鏡を用いたInZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN
強誘電体キャパシタにおけるマルチリークパス形成の電界依存性の観察
〇(D)糸矢 祐喜1、藤原 弘和3,4、Cédric Bareille2、谷内 敏之3,4、小林 正治1 (1.東大生研、2.東大物性研、3.東大新領域、4.東大MIRC)
[17a-M_278-13]HfO2系強誘電体キャパシタにおける電界サイクリング誘起変化の局所C–Vマッピング観察
〇平永 良臣1、糸矢 祐喜2、小林 正治2 (1.東北大通研、2.東大生研)
