[17a-M_374-1~12] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[17a-M_374-12] (110)配向Co₂(Fe,Mn)Siエピタキシャル薄膜の作製と評価

〇郭 天宝¹、北條 峻之¹、網家 大輔¹、大兼 幹彦^1,2 (1.東北大 工学研究科、2.東北大 CSIS)

キーワード：

TMR センサ、Co 基ホイスラー合金、(110) 配向エピタキシャル薄膜

高感度 TMR センサ用電極材料を目的として、(110) 配向 Co₂(Fe,Mn)Si エピタキシャル薄膜を作製し、組成 x および退火温度 Ta に依存した結晶構造および磁気特性を XRD、VSM により評価した。(110) 配向成長と一軸磁気異方性は広い条件で確認され、特定の組成・熱処理条件下において磁気異方性定数 |K₁| が 0 近傍まで低下する領域が明らかとなった。