講演情報
[17a-PA2-14]ミストCVDによる貴金属成膜と物性評価
〇石川 志緒利1、高橋 勲2、澤水 悠佳2、森本 孝貴1 (1.(株)クオルテック、2.立命館大)
キーワード：
貴金属、めっき、ミストCVD
貴金属は電気伝導性、耐腐食性、触媒性など様々な優れた物理特性を有するが、めっきでは絶縁体上の成膜が困難であり、蒸着等真空プロセスでは装置コスト等が課題である。これを解決するために大気圧成膜可能なミストCVDを用いた成膜の検討をしている。本研究では、絶縁体、半導体、金属など、様々な基板を用い、PtやRu等の成膜を行った。また、それらの膜の物性評価や密着性に関する発表を行う。