講演情報
[17a-PA2-22]単一カソード粉体ターゲットを用いたコンビナトリアルスパッタリングによる組成傾斜GZO薄膜の作製
〇大島 多美子1、矢崎 楽1、清水 郁也1 (1.長崎大)
キーワード：
コンビナトリアル、スパッタリング、粉体ターゲット
粉体ターゲットを用いた単一カソードスパッタリングによるコンビナトリアル成膜技術を開発しGZO薄膜を作製した。一度の成膜で4インチSiウエハから58サンプルを取得しGa含有量が1.8～7.2 at%の組成傾斜を確認した。またGa含有量と抵抗率はウエハ上の位置に依存して変化した。これは粉体ターゲットの配置に起因するものでありターゲットのレイアウト設計により組成傾斜の制御が可能であることを示唆する。