講演情報
[17a-PA2-5]TiO₂をバッファー層とするガラス基板上VO₂薄膜の作製と相転移特性に関する研究
〇(M1)若山 遼平1、モハメッド・シュルズ ミヤ1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
キーワード：
二酸化バナジウム、二酸化チタン、スマートウィンドウ
VO₂は約68℃で絶縁体–金属転移（IMT）を示す材料である。本研究では、高温安定性に優れたTiO₂をバッファー層として用い、VO₂薄膜の成長特性を評価した。TiO₂/VO₂薄膜をスパッタ法で作製し、膜厚依存性を調査した結果、膜厚240 nmで抵抗転移幅が約2.5桁に向上し、結晶性の改善がXRDから確認された。赤外透過特性でも従来のZnOバッファー層でも同様の結果を示したため、TiO₂バッファー層の有効性が示された。