講演情報
[17a-PA3-1]172 nmエキシマ光照射雰囲気がGaAs表面およびAu/GaAsショットキーバリアダイオードの整流特性に与える影響
〇門田 陽登1、上田 一輝1、野村 卓矢1、長谷川 尊之1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)
キーワード：
エキシマ光表面改質、GaAsショットキーバリアダイオード、界面制御
本研究はGaAsショットキーバリアダイオードにおける高周波応答の改善を目的とし、エキシマ光による界面改質を提案する。大気中照射では界面酸化に伴うMIS構造化により拡散電位が著しく増大したが、窒素雰囲気では酸化が抑制され、安定した整流性と界面安定化が示唆された。光による気相制御により表面および界面制御できる本手法は、高効率なレクテナや高速検波素子を実現する上で有効な表面処理技術と考えられる。