講演情報
[17a-PB1-10]pチャネル薄膜トランジスタ特性向上に向けたポストアニールによるSnOx薄膜の相変化
〇(M2)瀧 基紀1、服部 吉晃1、北村 雅季1 (1.神戸大院工)
キーワード：
薄膜トランジスタ、PMOS、SnO
pチャネル酸化物TFTの実現には，準安定相である SnO の相制御が重要な課題である．本研究では，反応性スパッタ法により作製した SnOₓ薄膜にポストアニールを施し，膜の色調変化，XPS による化学状態，および TFT 特性の相関を系統的に調べた．その結果，アニール温度の上昇に伴いチャネル膜は褐色から水色へと変化し，SnOリッチな相の形成とともに p チャネル動作が顕著に改善された．特に 200 ℃アニールにより，電流オンオフ比約 10³，移動度 2.3 cm² V⁻¹ s⁻¹ を得た．本結果より， SnOₓ 膜をより詳細に相制御できる可能性がある．